1月13日，國產存儲芯片龍頭兆易創新成功登陸香港交易所主板。上市首日，其股價報收222.8港元，較發行價大幅上漲37.53%，市值躍升至1552億港元，這標志著公司完成了“A+H”雙資本平臺的戰略布局。1月14日收盤時，股價報222.8港元，最新市值1567.72億港元。

根據兆易創新此前公告，公司在港股上市募得款項凈額為46.10億港元。其中約40%將用于持續提升研發能力；約35%將用于戰略性行業相關投資及收購；約9%將用于全球戰略擴張及加強全球影響力，包括加強全球營銷及服務網絡。

存儲芯片龍頭登陸港股，卡位國產化關鍵賽道

兆易創新成立于2005年，是一家采用無晶圓廠（Fabless）模式的集成電路研發與設計公司。公司產品線覆蓋閃存（NOR Flash、SLC NAND Flash）、利基型動態隨機存取存儲器（DRAM）、微控制器（MCU）以及模擬與傳感器芯片，廣泛應用于消費電子、汽車、工業、物聯網等核心領域。

兆易創新已成為中國存儲芯片設計領域的龍頭。根據弗若斯特沙利文的數據，2024年，公司在全球NOR Flash市場占據18.5%份額，位列全球第二、中國內地第一；在SLC NAND Flash領域排名全球第六、中國內地第一。在由海外巨頭主導的利基型DRAM和全球MCU市場，兆易創新分別在全球排名第七和第八，在中國內地市場則處于領跑地位。

自2016年在上交所主板上市后，兆易創新持續成長，營收方面十年（2015年到2024年）復合增長率約為22.45%。2025年第三季度財報顯示，其營業總收入達68.32億元，同比增長20.82%；歸母凈利潤為10.83億元，同比增長30.18%。

兆易創新業績的爆發，與全球存儲市場的結構性變化緊密相關。隨著人工智能浪潮推動高帶寬內存（HBM）需求激增，國際存儲巨頭將產能向高端產品傾斜，導致DDR等成熟制程的利基型DRAM供給收縮。兆易創新憑借其涵蓋DDR3L、DDR4、LPDDR4等產品的利基DRAM矩陣，抓住了這一市場窗口期。

去年10月，兆易創新在投資者關系活動中表示，利基型DRAM及定制化存儲業務受益于行業供給緊縮與AI需求爆發，市場回暖時點超預期，預計未來2年供應仍處相對緊張狀態。公司稱，該業務2025年營收有望實現同比50%增長，“展望未來5年，對于國內30億-40億美金的利基DRAM市場，我們的目標仍是取得至少三分之一的份額。”

兆易創新還表示，公司Flash業務同樣受益于存儲周期的改善，公司SLC NAND產品和NOR Flash均有漲價。從長期來看，公司將繼續推動NOR Flash在工業、汽車、端側AI和海外市場市占率的提升，并堅持全球化布局，包括海外供應鏈的布局。

中銀證券認為，伴隨AI驅動DRAM需求提振及國產DRAM廠商融資進程提速，國內DRAM全產業鏈有望實現加速成長。

創始人朱一明旗下長鑫科技也在沖刺科創板

兆易創新的崛起，與其創始人朱一明的戰略眼光密不可分。據公開資料，朱一明1994年從清華大學物理系畢業后，便前往美國深造并進入硅谷工作。2005年，其回到北京在中關村創立了兆易創新。

朱一明錨定 NOR Flash 作為核心業務切入點。彼時這一市場正被外企和臺企牢牢壟斷，兆易創新憑借獨特的雙晶體管設計，大幅降低了芯片功耗，成功打開市場。2008年前后，行業格局進一步發生變化，三星電子因NOR Flash業務盈利空間收窄選擇戰略性退出，飛索半導體（Spansion）則受金融危機沖擊陷入破產困境。

在供應收縮的情況下，國內中低端電子市場對NOR Flash仍有大量需求，這也讓兆易創新獲得了本土市場的機會。2016 年，兆易創新以23.26 元/股的發行價成功登陸A股資本市場。

在兆易創新上市的同一年，朱一明便將眼光投向DRAM領域，實際上，DRAM的市場空間遠大于NOR Flash，但當時這一領域國產化率極低，且技術壁壘極高。

2016年，朱一明與合肥市政府攜手，聯合產業資本創立了長鑫科技。為了全力攻克DRAM量產難關，朱一明在2018年辭去兆易創新總經理職務，僅保留董事長職位，同時親自出任長鑫科技董事長兼CEO，開啟了“二次創業”。

隨后五年里，朱一明將全部精力投入到合肥的晶圓廠，帶領長鑫科技完成了在DRAM領域從第一代工藝技術平臺到第四代工藝技術平臺的量產，產品覆蓋DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等。

長鑫科技也為兆易創新提供了穩定的DRAM產品制造保障，目前，雙方形成了“設計+制造”的協同模式。雙方合作主要包括兩方面：一是長鑫科技為采用Fabless模式的兆易創新提供DRAM產品代工服務；二是在市場拓展初期，長鑫科技通過兆易創新的渠道銷售部分DRAM產品。隨著長鑫科技自身銷售體系的完善，經銷合作已于2023年下半年停止。

朱一明的前瞻布局正迎來收獲期。長鑫科技2025年前三季度營收高達320.84億元，同比增長97.79%。受持續的研發和產能爬坡投入影響，公司歸母凈利潤仍為虧損，但虧損幅度已顯著收窄，在DRAM產品市場價格上漲、產銷規模持續提升等因素的帶動下，長鑫科技第三季度單季扣非凈利潤同比大增174%，毛利率提升至35%。

更為重要的是，2025年12月30日，長鑫科技向上交所科創板提交的IPO申請已獲受理，擬募集資金高達295億元。若成功上市，其估值預計將超過1500億元，有望成為中國半導體產業又一家千億級巨頭。